EduKG
← Назад

Проводники, диэлектрики и полупроводники: различие по способности проводить заряд

Цели занятия

  • Итог

    Классифицировать образец как проводник, диэлектрик или полупроводник по значению его удельного сопротивления ρ\rho и ширине запрещённой зоны EgE_g.

  • Итог

    Вычислять плотность тока по дифференциальной форме закона Ома j=σEj=\sigma E и проводимость по микроскопической формуле σ=neμ\sigma = n e \mu.

  • Итог

    Сравнивать проводник и полупроводник по концентрации носителей nn и объяснять, почему проводимость полупроводника растёт с температурой.

  • Итог

    Определять по ширине запрещённой зоны граничную длину волны света, создающего свободные носители, и делать вывод о пригодности материала для фотоприёмника.

Понять идею

Проводники, диэлектрики и полупроводники

Текст

Твёрдые тела различаются прежде всего тем, сколько их электронов могут свободно двигаться. В проводнике (металле) валентная зона перекрывается с зоной проводимости, поэтому свободных носителей — электронов — очень много, n∼1028 m−3n\sim10^{28}\ \text{m}^{-3}, а удельное сопротивление мало: ρ∼10−8 Ω⋅m\rho\sim10^{-8}\ \Omega\cdot\text{m}. В диэлектрике (изоляторе) запрещённая зона широка, Eg>3 eVE_g > 3\ \text{eV}, тепловое движение почти не забрасывает электроны в зону проводимости, ρ>108 Ω⋅m\rho > 10^{8}\ \Omega\cdot\text{m}, и заряд, помещённый на изолятор, остаётся на месте. У полупроводника зона узкая, Eg≈1 eVE_g \approx 1\ \text{eV} (кремний: 1.12 eV1.12\ \text{eV}), поэтому при комнатной температуре появляется немного носителей, проводимость занимает промежуточное положение и быстро растёт с температурой. Для всех трёх классов локальная связь поля и тока — это закон Ома в дифференциальной форме j⃗=σE⃗\vec{j} = \sigma \vec{E}, где σ=1/ρ\sigma = 1/\rho; в микроскопической картине σ=neμ\sigma = n e \mu, где nn — концентрация носителей, а μ\mu — их подвижность. Классификация поэтому количественная: именно концентрация nn (то есть ширина запрещённой зоны EgE_g) решает, проводит ли тело заряд, удерживает его или занимает промежуточное положение.

Разобранные примеры

Напрямую

Задача

Стержень из материала имеет удельное сопротивление ρ=5.0×10−8 Ω⋅m\rho = 5.0\times10^{-8}\ \Omega\cdot\text{m}. Вдоль него приложено электрическое поле E=0.10 V/mE = 0.10\ \text{V/m}. (a) Определите класс материала. (b) Найдите плотность тока.

Решение

Шаг 1. Проводимость. σ=1/ρ=1/(5.0×10−8)=2.0×107 S/m\sigma = 1/\rho = 1/(5.0\times10^{-8}) = 2.0\times10^{7}\ \text{S/m}.

Это порядок металла (107 S/m10^{7}\ \text{S/m}), значит материал — проводник.

Шаг 2. Плотность тока. Дифференциальная форма закона Ома:

j=σE=2.0×107 S/m×0.10 V/m=2.0×106 A/m2.j = \sigma E = 2.0\times10^{7}\ \text{S/m} \times 0.10\ \text{V/m} = 2.0\times10^{6}\ \text{A/m}^{2}.

Ответ: проводник; j=2.0×106 A/m2j = 2.0\times10^{6}\ \text{A/m}^{2}.

Применение

Задача

Образец полупроводника имеет концентрацию электронов n=1.0×1022 m−3n = 1.0\times10^{22}\ \text{m}^{-3} и подвижность μ=0.050 m2/(V⋅s)\mu = 0.050\ \text{m}^{2}/(\text{V}\cdot\text{s}).

(a) Найдите σ\sigma и ρ\rho.

(b) Какова дрейфовая скорость электронов в поле E=100 V/mE = 100\ \text{V/m}?

(c) Для меди n=8.5×1028 m−3n = 8.5\times10^{28}\ \text{m}^{-3}, μ=4.5×10−3 m2/(V⋅s)\mu = 4.5\times10^{-3}\ \text{m}^{2}/(\text{V}\cdot\text{s}). Во сколько раз проводимость меди больше?

Решение

Шаг 1. Проводимость полупроводника.

σ=neμ=1.0×1022×1.6×10−19×0.050=80 S/m,\sigma = n e \mu = 1.0\times10^{22} \times 1.6\times10^{-19} \times 0.050 = 80\ \text{S/m},

ρ=1/σ=1.25×10−2 Ω⋅m.\rho = 1/\sigma = 1.25\times10^{-2}\ \Omega\cdot\text{m}.

Это промежуточная область — полупроводник (между 10−810^{-8} и 108 Ω⋅m10^{8}\ \Omega\cdot\text{m}).

Шаг 2. Дрейфовая скорость.

vd=μE=0.050×100=5.0 m/s.v_{d} = \mu E = 0.050 \times 100 = 5.0\ \text{m/s}.

Скорость направленного движения здесь больше, чем в металле; заряд переносится слабее за счёт малой концентрации nn.

Шаг 3. Сравнение с медью.

σCu=8.5×1028×1.6×10−19×4.5×10−3=6.1×107 S/m,\sigma_{Cu} = 8.5\times10^{28} \times 1.6\times10^{-19} \times 4.5\times10^{-3} = 6.1\times10^{7}\ \text{S/m},

σCuσ=6.1×10780≈7.7×105.\frac{\sigma_{Cu}}{\sigma} = \frac{6.1\times10^{7}}{80} \approx 7.7\times10^{5}.

Ответ: (a) σ=80 S/m\sigma = 80\ \text{S/m}, ρ=1.25×10−2 Ω⋅m\rho = 1.25\times10^{-2}\ \Omega\cdot\text{m}; (b) vd=5.0 m/sv_{d} = 5.0\ \text{m/s}; (c) примерно в 7.7×1057.7\times10^{5} раз.

Перенос

Задача

Ширины запрещённых зон: кремний Eg=1.12 eVE_g = 1.12\ \text{eV}, арсенид галлия Eg=1.42 eVE_g = 1.42\ \text{eV}, алмаз Eg=5.5 eVE_g = 5.5\ \text{eV}. Используя hc=1240 eV⋅nmhc = 1240\ \text{eV}\cdot\text{nm}, найдите граничную (наибольшую) длину волны света, способного создать свободные носители в каждом материале. Какой материал пригоден для фотоприёмника видимого диапазона (400400–700 nm700\ \text{nm}) и как классифицировать алмаз при комнатной температуре?

Решение

Шаг 1. Граничная длина волны. Свободный носитель появляется, когда энергия фотона E=hc/λE = hc/\lambda не меньше EgE_g, то есть λ≤λmax=hc/Eg\lambda \le \lambda_{max} = hc/E_g:

  • кремний: λmax=1240/1.12=1107 nm\lambda_{max} = 1240/1.12 = 1107\ \text{nm};
  • арсенид галлия: λmax=1240/1.42=873 nm\lambda_{max} = 1240/1.42 = 873\ \text{nm};
  • алмаз: λmax=1240/5.5=225 nm\lambda_{max} = 1240/5.5 = 225\ \text{nm}.

Шаг 2. Сравнение с видимым светом. Фотонам 400400–700 nm700\ \text{nm} отвечают энергии

E=1240700=1.77 eVиE=1240400=3.1 eV.E = \frac{1240}{700} = 1.77\ \text{eV} \quad \text{и} \quad E = \frac{1240}{400} = 3.1\ \text{eV}.

Обе эти энергии больше 1.12 eV1.12\ \text{eV} (Si) и больше 1.42 eV1.42\ \text{eV} (GaAs), поэтому кремний и арсенид галлия реагируют на видимый свет. Для алмаза нужен λ≤225 nm\lambda \le 225\ \text{nm} — глубокий ультрафиолет, в видимом диапазоне он «прозрачен».

Шаг 3. Классификация. Так как Eg=5.5 eV>3 eVE_g = 5.5\ \text{eV} > 3\ \text{eV}, алмаз при комнатной температуре — диэлектрик: носителей почти нет, ρ>108 Ω⋅m\rho > 10^{8}\ \Omega\cdot\text{m}.

Ответ: λmax\lambda_{max} равны 11071107, 873873 и 225 nm225\ \text{nm}; для видимого света пригодны Si и GaAs; алмаз — диэлектрик (работает только в УФ).

Практика

Текст

Три опыта с мультиметром — только на батарейном питании (режим омметра и режим проверки диода), никогда от сети.

  1. Проводник. Нарисуйте мягким карандашом графитовую полосу длиной около 6 cm6\ \text{cm} на бумаге; измерьте её сопротивление RR. Повторите для L=2,4,6 cmL = 2, 4, 6\ \text{cm} и постройте график R(L)R(L): он линейный. Оцените σ=L/(RA)\sigma = L/(R A) и сравните с табличным значением для графита.
  2. Диэлектрик. Измерьте RR сухой стеклянной палочки, пластиковой линейки и сухой бумаги — прибор покажет «> 20 MΩ20\ \text{M}\Omega» (вне шкалы). Затем натрите пластиковую линейку шерстью и убедитесь, что через минуту она всё ещё притягивает мелкие бумажки: заряд не утекает.
  3. Полупроводник. В режиме проверки диода измерьте прямое падение напряжения на кремниевом диоде (около 0.60.6–0.7 V0.7\ \text{V}) и обратное включение (вне шкалы). Согрейте диод в руке 11–22 минуты и снова измерьте: прямое падение уменьшится, потому что с ростом температуры концентрация носителей растёт и при том же токе нужно меньшее напряжение.

Если нагревать прибор неудобно или небезопасно, замените шаг 3 любым симулятором зонной структуры (например, PhET «Band Structure»): меняйте температуру и легирование, записывая концентрацию носителей nn и проводимость.

Таблица результатов: материал — измеренная величина — класс (проводник / диэлектрик / полупроводник). Обсудите, почему у проводника сопротивление растёт с температурой, а у полупроводника падает.

Визуальная подсказка

Назначение

Показать, как ширина запрещённой зоны управляет числом свободных носителей и, значит, определяет класс твёрдого тела.

Представление

Эскиз: три зонные диаграммы рядом.

  • Проводник: зона проводимости и валентная зона перекрываются, а уровень Ферми лежит внутри частично заполненной зоны проводимости: почти все занятые электронные состояния расположены на уровне Ферми и ниже него, и лишь над ним имеется узкий тепловой слой шириной порядка kTkT из нескольких возбуждённых электронов.
  • Полупроводник: щель Eg≈1 eVE_g \approx 1\ \text{eV}, вверху лишь несколько точек, помеченных «тепловое возбуждение».
  • Диэлектрик: щель Eg>3 eVE_g > 3\ \text{eV}, зона проводимости пуста.

Под диаграммами — общая логарифмическая ось удельного сопротивления ρ\rho в Ω⋅m\Omega\cdot\text{m} с отметками 10−810^{-8} (металлы), 10−510^{-5}–10410^{4} (полупроводники), >108>10^{8} (диэлектрики). Стрелка T↑T\uparrow у полупроводника показывает рост nn с температурой.

Примеры из жизни

Ёмкостный экран смартфона

Сценарий

Экран телефона — это стекло толщиной около 0.5 mm0.5\ \mathrm{mm} (относительная диэлектрическая проницаемость εr≈6\varepsilon_r \approx 6), покрытое изнутри прозрачным проводником — оксидом индия и олова. Когда кончик пальца (проводник) оказывается на расстоянии около 1 mm1\ \mathrm{mm} от стекла, контроллер измеряет изменение ёмкости в несколько пикофарад — например, с 20 pF20\ \mathrm{pF} до 19 pF19\ \mathrm{pF} — и регистрирует касание.

Связь

Стекло — диэлектрик: его заряды связаны внутри атомов и смещаются лишь на доли атомного размера, поэтому они поляризуются и поддерживают поле E=U/dE = U/d на толщине 0.5 mm0.5\ \mathrm{mm}, не перенося постоянного тока. Палец — проводник: его свободные электроны перестраиваются примерно за 10−12 s10^{-12}\ \mathrm{s}, так что поверхность пальца становится эквипотенциальной. Изменение ёмкости возникает от обоих типов поведения сразу.

Удар молнии в кузов автомобиля

Сценарий

Разряд молнии несёт пиковый ток около 30 kA30\ \mathrm{kA} в течение нескольких десятков микросекунд и переносит заряд примерно 15 C15\ \mathrm{C}. Стальной кузов стоящего автомобиля имеет толщину около 0.8 mm0.8\ \mathrm{mm}. Пассажиры остаются невредимыми, хотя внешняя поверхность на мгновение достигает потенциалов в миллионы вольт относительно земли.

Связь

Сталь — проводник, в котором примерно один свободный электрон на атом, концентрация n≈8.5×1028 m−3n \approx 8.5 \times 10^{28}\ \mathrm{m^{-3}}; эти электроны перемещаются примерно за 10−6 s10^{-6}\ \mathrm{s} и выносят избыточный заряд на внешнюю поверхность. В электростатическом равновесии поле внутри металла равно нулю, Ein=0E_\text{in} = 0, поэтому внутренняя область остаётся при одном потенциале — это клетка Фарадея. Воздух вокруг машины — диэлектрик, который обычно не проводит ток и пробивается лишь тогда, когда поле достигает его электрической прочности, около 3×106 V/m3 \times 10^{6}\ \mathrm{V/m}.

Кремниевая солнечная панель на крыше

Сценарий

Бытовая панель площадью 1.6 m21.6\ \mathrm{m^2} даёт около 300 W300\ \mathrm{W} при освещённости 1000 W/m21000\ \mathrm{W/m^2}, а каждая ячейка — примерно 0.6 V0.6\ \mathrm{V}. Её рабочий материал — кристаллический кремний с шириной запрещённой зоны Eg=1.12 eVE_g = 1.12\ \mathrm{eV}; при 300 K300\ \mathrm{K} концентрация собственных свободных носителей в нём всего около 1.5×1016 m−31.5 \times 10^{16}\ \mathrm{m^{-3}}.

Связь

Кремний — полупроводник: при комнатной температуре он освобождает лишь около 1.5×10161.5 \times 10^{16} носителей на кубический метр, примерно на двенадцать порядков меньше, чем 8.5×1028 m−38.5 \times 10^{28}\ \mathrm{m^{-3}} у меди, а носитель появляется только тогда, когда тепловое движение или поглощённый фотон дают не меньше Eg=1.12 eVE_g = 1.12\ \mathrm{eV}. Один атом примеси на 10610^{6} атомов кремния увеличивает число носителей на много порядков, но не превращает материал в металл — именно это удерживает его между проводником и диэлектриком.